محققان کره‌ای روشی برای رشد مواد فلزی تک‌بعدی با عرض کمتر از 1 نانومتر ارائه کرده‌اند که از آن‌ها برای ساخت ترانزیستورهای دوبعدی نیمه‌رسانا استفاده می‌شود.